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| β-Si3N4单晶体的制备 | |
| 作者姓名： | 许兴利 周龙捷 马利国 代建清 黄勇 谢志鹏 |
| 作者单位： | 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，863-715-006-0100， |
| 摘 要： | 在自增韧Si3N4陶瓷的烧结过程中，添加作为晶种的长柱状β-Si3N4单晶体对于改善陶瓷的强度和韧性是非常有效的。本研究旨在制备出长柱状β-Si3N4单晶体，并对其尺寸和形貌进行有效的控制。通过对87.3wt/α-SiN4 8.3wt/Y2O3 4.4wt/SiO2体系进行气压烧结，经去除掉玻璃相等漂洗工艺后，制得β-Si3N4单晶体，其直径为1－2μm、长度为4－6μm。同时对不同烧结工艺下制得的β-Si3N4单晶体的尺寸和工艺参数的关系进行了研究。 |
| 关 键 词： | 长柱状 β－氮化硅单晶体 氮化硅陶瓷 形貌 晶粒尺寸 |
| 文章编号： | 1001-4381(2001)02-0017-02 |
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