| 利用快速热退火在n-GaAs上形成浅欧姆接触 |
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| 引用本文： | 陈维德,谢小龙,陈春华,崔玉德,段俐宏,许振嘉. 利用快速热退火在n-GaAs上形成浅欧姆接触[J]. 真空科学与技术学报, 1997, 0(1) |
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| 作者姓名： | 陈维德 谢小龙 陈春华 崔玉德 段俐宏 许振嘉 |
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| 摘 要： | 采用超高真空电子束蒸发设备和快速热退火工艺制备GaAs／Pd／AuGe／Ag／An多层结构和测量比接触电阻车所需的传输线模型。研究了比接触电阻率与退火温度和时间关系，400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻车约为10（－6）Ωem2。接触层表面光滑、界面平整。利用俄歇电子谱（AES）、二次离子质谱（SIMS）、X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究了欧姆接触的微观结构和形成机理。
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| 关 键 词： | 欧姆接触 砷化镓 二次离子质谱 俄歇电子谱 |
Shallow Ohmic Contacts to n-GaAs Formed by Rapid Thermal Annealing |
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| Chen Weide, Xie Xiaolong, Chen Chunhua, Cui Yude, Duan Lihong, Xu Zhenjia. Shallow Ohmic Contacts to n-GaAs Formed by Rapid Thermal Annealing[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 1997, 0(1) |
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| Authors: | Chen Weide Xie Xiaolong Chen Chunhua Cui Yude Duan Lihong Xu Zhenjia |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ohmic contact GaAs Secondary ion mass spectroscopy Auger electron spectroscopy |
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