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| 背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器 | |
| 引用本文： | 丁嘉欣,成彩晶,张向锋,张晓兵,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立雯,张国义.背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器[J].激光与红外,2009,39(2). |
| 作者姓名： | 丁嘉欣 成彩晶 张向锋 张晓兵 鲁正雄 司俊杰 孙维国 桑立雯 张国义 |
| 作者单位： | [1]中国空空导弹研究院,河南洛阳471009 [2]北京大学物理系,北京100871 |
| 摘 要： | 在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N／Al0.5Ga0．5NP—I—N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应，其截止波长为285nm，在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA／W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流，结果表明暗电流大约在10^-8A数量级，暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。 |
| 关 键 词： | AlGaN 背入射 线列焦平面 太阳光盲 探测器 |
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