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| 利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究 | |
| 引用本文： | 伊福廷,张菊芳,彭良强,韩勇.利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究[J].微纳电子技术,2003,40(7):126-128,141. |
| 作者姓名： | 伊福廷 张菊芳 彭良强 韩勇 |
| 作者单位： | 中科院高能物理研究所同步辐射室,北京,100039 |
| 摘 要： | SU8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用，已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作，另一方面SU8结构具有很好的侧面垂直结构，通过控制工艺参数，能够获得满意的SU8胶结构。SU8光刻胶已应用于UGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中，克服了许多技术难题，使得这一技术能够应用到实际的需要中。 |
| 关 键 词： | 紫外光刻 SU8光刻胶 MEMS技术 微结构 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0126-03 |
The research of SU8 resist using UV lithography |
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