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| 薄膜电致发光器件中电子的谷间分布 | |
| 作者姓名： | 赵辉 王永生 徐征 |
| 作者单位： | 北方交通大学光电子技术研究所!北京100044，北方交通大学光电子技术研究所!北京100044，北方交通大学光电子技术研究所!北京100044，北方交通大学光电子技术研究所!北京100044 |
| 摘 要： | 基于对谷间散射过程的讨论，利用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了ＺｎＳ型薄膜电致发光器件中电子的谷间分布．得出了谷间分布的瞬态过程、不同电场下的谷间分布．这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据．同时，本文提出了高能谷的能量存储效应 |
| 关 键 词： | 薄膜电致发光 TFELD 电子 谷间分布 |
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