| 快速退火对Ni-Al-O栅介质结构和介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 李曼,刘保亭,王玉强,王宽冒.快速退火对Ni-Al-O栅介质结构和介电性能的影响[J].无机材料学报,2011(3):257-260. |
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| 作者姓名： | 李曼 刘保亭 王玉强 王宽冒 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院;河北大学电子信息工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60876055,11074063); 河北省自然科学基金(E2008000620,E2009000207); 高等学校博士点基金(20091301110002); 河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(10963525D)~~ |
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| 摘 要： | 采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在n-Si(100)和Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处理.通过XRD和AFM对其结构和表面形貌进行了表征,利用LCR表和Keithley表对其介电性能和漏电流进行了研究.结果表明,样品经过750℃退火后仍然保持非晶状态,且样品的表面平整,均方根粗糙度小于0.5 nm.在1 MHz测试频率下,由Pt/Ni-Al-O/Pt电容器测得的介电常数为9.9.MOS电容器的电学测试显示,700℃以上退火的样品有较高的电容值,较低的漏电流密度.研究表明,Ni-Al-O薄膜是一种有潜力的新型高k栅介质材料.
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| 关 键 词： | 高k栅介质 Ni-Al-O薄膜 反应脉冲激光沉积 |
Effect of Rapid Thermal Annealing on Structural and Electrical Characteristics of Ni-Al-O Gate Dielectrics |
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| LI Man,LIU Bao-Ting,WANG Yu-Qiang,WANG Kuan-Mao.Effect of Rapid Thermal Annealing on Structural and Electrical Characteristics of Ni-Al-O Gate Dielectrics[J].Journal of Inorganic Materials,2011(3):257-260. |
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| Authors: | LI Man LIU Bao-Ting WANG Yu-Qiang WANG Kuan-Mao |
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| Affiliation: | LI Man1,LIU Bao-Ting1,WANG Yu-Qiang2,WANG Kuan-Mao1(1.College of Physics Science and Technology,Hebei University,Baoding 071002,China,2.College of Electronic and Information Engineering,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-k gate dielectric Ni-Al-O thin film reactive pulsed laser deposition |
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