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| 用于亚65nm刻蚀的含硅材料 | |
| 作者姓名： | E.S．Moyer J. Bremmer C. Brick P.F.Fu A. Shirahata S.Wang C.Yeakle |
| 摘 要： | 随着景深和光刻胶薄膜厚度的不断减小，在未来光刻方案中所用的含硅材料应当提供抗刻蚀的选项。 |
| 关 键 词： | 含硅材料 刻蚀 薄膜厚度 光刻胶 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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