| 离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善 |
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| 引用本文： | 徐东,朱宏,汤丽娟,杨云洁,郑志宏,柳襄怀,谷口滋次,柴田俊夫.离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善[J].金属学报,1995,31(16):164-172. |
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| 作者姓名： | 徐东 朱宏 汤丽娟 杨云洁 郑志宏 柳襄怀 谷口滋次 柴田俊夫 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室，日本大阪大学材料系 |
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| 摘 要： | 用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）方法在金属间化合物ＴｉＡｌ上合成厚度为０．５，１，和２μｍ的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态，膜与基底间存在混合的过渡区，膜与基底结合紧密用ＡＥＳ，ＸＲＤ和ＸＰＳ研究薄膜的组成和结构，高温循环氧化结果表明，经沉积膜的ＴｉＡｌ试样的抗氧化性能显著提高其中沉积０．５μｍ薄膜的试样表现出极好的抗循环氧化性能由ＳＥＭ及ＥＤＳ分析得出，良好的高温稳定性能、高的膜／基底结合力和形成富Ａｌ２Ｏ３和硅化物的保护层是提高ＴｉＡｌ抗高温氧化性能的主要因素．
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| 关 键 词： | 氮化硅薄膜，TiAl，离子束增强沉积，高温氧化 |
IMPROVEMENT OF OXIDATION RESISTANCE OF TiAl BY ION-BEAM-ENHANCED DEPOSITION OF Si_3N_4 COATINGS |
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| XU Dong,ZHU Hong,TANG Lijuan,YANG Yunjie,ZHENG Zhihong,LIU Xianghuai TA NIGUCHI S,SHIBATA T.IMPROVEMENT OF OXIDATION RESISTANCE OF TiAl BY ION-BEAM-ENHANCED DEPOSITION OF Si_3N_4 COATINGS[J].Acta Metallurgica Sinica,1995,31(16):164-172. |
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| Authors: | XU Dong ZHU Hong TANG Lijuan YANG Yunjie ZHENG Zhihong LIU Xianghuai TA NIGUCHI S SHIBATA T |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si3N4 film TiAl ion beam enhanced deposition oxidation resistance |
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