|
|||||
|
|
| 三维MMIC的进展 | |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | 据日本《电子材料）1997年第1期报道，日本NTT系统电子研究所的平野真、德满恒雄等人发表了题为“多层、三维微波电路技术的发展动向”的文章。文中介绍了三维MMIC的结构及制作方法，简介如下。图1是三维MMIC的基本结构。制作的电路采用了栅宽为100pm，栅长为03pm，人为23GHz，fmax为80GHz的GaAsMESFET。三维MMIC的尺寸为1．78mm’。是一种20GHz的接收机。该接收机包括三级可变增益放大器、镜像抑制混频器、VCO等。一共使用了22只晶体管。其电路性能，在17－24GHZ下，增益为15dB（镜像抑制比＞20dB），电压为5V，功耗为50mA… |
| 关 键 词： | MMIC 三维微波电路 微波集成电路 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |