| 缓冲层对多量子阱材料GaAs／Ga1-xAlxAs共振态的影响 |
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| 引用本文： | 杨晓峰. 缓冲层对多量子阱材料GaAs／Ga1-xAlxAs共振态的影响[J]. 微纳电子技术, 2003, 40(7): 8-10 |
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| 作者姓名： | 杨晓峰 |
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| 作者单位： | 华北工学院理学系,山西,太原,030051 |
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| 基金项目： | 山西省自然科学基金资助(MZ20011103) |
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| 摘 要： | 从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料(GaAs／Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响，利用界面响应理论的格林函数方法，计算了局域和总电子态密度以及电子对结的穿透率，展示了缓冲层特性对态密度特征峰、穿透率的影响。结果表明，缓冲层具有控制共振隧穿电子和影响系统电子态的作用。
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| 关 键 词： | 缓冲层 多量子阱材料 GaAs／Ga1-xAlxAs共振态 密度 格林函数方法 MQW器件 复合材料 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0008-03 |
Effect of buffer layer on resonant states in material GaAs/Ga1-xAlxAs |
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