兼容纵向PNP，纵向NPN双极型晶体管的2·0um集成电路制造工艺的研究

自从1960年第一块集成电路问世以来，集成电路工业飞速发展，不断遭遇新的要求和挑战。至今仍在应用的传统双极工艺，能够同时提供纵向NPN晶体管和横向PNP晶体管，在实际应用过程中，在遇到要求高输出电流，大驱动能力的电路时，横向PNP晶体管的性能成为电路设计的瓶颈。研究表明在传统的双极工艺中，由于基区浓度由外延本身决定，因此掺杂浓度相对较低。同时横向结构决定了基区的宽度相对于纵向结构而言，大大的增加。因此导致了PNP双极晶体管的输出性能差强人意。基于上述分析，在对传统的结构进行修改之后，以增加工艺复杂性为代价，在保证原有结构的情况下，能够得到性能令人满意的纵向PNP晶体管。增加一个BLN2层次，以满足纵向PNP晶体管对于隔离的要求，增加NB层次，从而得到掺杂浓度远高于外延层的纵向PNP晶体管的基区。从而避免了横向PNP晶体管的缺陷。主要结论为：通过合理地安排工艺步骤，能够在对原有结构不产生影响的情况下，得到性能令人满意的纵向PNP晶体管。相比于原有的横向PNP晶体管，输出特性得到极大改善。

A study on the 2.0um IC manufacturing process that makes both vertical PNP and vertical NPN bipolar transistors compatible

The IC industry has seen rapid growth ever since the birth of the first integrated circuit(IC).At the same time,new requirements and challenges have been consistently emerging.The existing traditional bipolar process that provides both vertical NPN and lateral PNP transistors is not capable enough when the latter becomes a bottleneck in IC design in case high output current and high power circuit are required.Studies show that traditional bipolar process has lower doping concentration in base as it is deter...