| 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应 |
| |
| 引用本文： | 张建新, 刘俊星, 李洪武. 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应[J]. 红外技术, 2008, 30(4): 234-237. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.04.013 |
| |
| 作者姓名： | 张建新 刘俊星 李洪武 |
| |
| 作者单位： | 嘉兴学院,机电工程学院,浙江,嘉兴,314001;嘉兴学院,机电工程学院,浙江,嘉兴,314001;嘉兴学院,机电工程学院,浙江,嘉兴,314001 |
| |
| 摘 要： | 金属.二氧化硅-半导体(MOS)结构对于SiO2-Si界面非常敏感,能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数.为了研究MOS结构的电子辐照效应,采取了能量为0.8 MeV,辐照剂量范围为2×1013～1×1014cm-2屯的电子束作为辐照源.实验发现,MOS结构经电子辐照后,在SiO2-Si界面处引入界面态,并且在二氧化硅内部积累正电荷.通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C-V曲线的测试,测试出辐照在氧化层引入的界面态密度达到了1014cm-2eV-1,而积累的正电荷面密度达到了10-2cm-2.同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系.
|
| 关 键 词： | MOS结构 电子辐照 界面态密度 氧化层电荷 |
| 文章编号： | 1001-8891(2008)04-0234-04 |
| 修稿时间： | 2008-01-08 |
Radiation Effect of MOS Structure Irradiated by Electron |
| |
| ZHANG Jian-xin, LIU Jun-xing, LI Hong-wu. Radiation Effect of MOS Structure Irradiated by Electron[J]. Infrared Technology , 2008, 30(4): 234-237. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.04.013 |
| |
| Authors: | ZHANG Jian-xin LIU Jun-xing LI Hong-wu |
| |
| Affiliation: | ZHANG Jian-xin,LIU Jun-xing,LI Hong-wu(Mechanical , Electrical Engineering college,Jiaxing University,Jiaxing Zhejiang 314001,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOS structure electron radiation interface density oxide-layer-charge |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外技术》下载全文 |
|
