| N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性 |
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| 引用本文： | 吕建国,叶志镇,诸葛飞,曾昱嘉,赵炳辉,朱丽萍. N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性[J]. 半导体学报, 2005, 26(4): 730-734 |
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| 作者姓名： | 吕建国 叶志镇 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027(吕建国，叶志镇，诸葛飞，曾昱嘉，赵炳辉)，浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027(朱丽萍) |
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| 摘 要： | 利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜，N2O为生长气氛．利用X射线衍射（XRD），Hall实验，X射线光电子能谱（XPS）和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究．结果表明，薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量，N以N-Al键的形式存在．N-Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时，共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值，载流子浓度为2.52e17cm－3，电阻率为57.3Ω·cm，Hall迁移率为0.43cm2/(V·s)．N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向，在可见光区域透射率高达90%．
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| 关 键 词： | N-Al共掺ZnO薄膜；p型传导；N2O生长气氛；直流反应磁控溅射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)04-0730-05 |
| 修稿时间： | 2004-05-22 |
p-Type Conduction in N-Al Codoped ZnO Thin Films |
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| LU Jianguo,YE Zhizhen,Zhuge Fei,Zeng Yujia,Zhao Binghui,Zhu Liping. p-Type Conduction in N-Al Codoped ZnO Thin Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(4): 730-734 |
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| Authors: | LU Jianguo YE Zhizhen Zhuge Fei Zeng Yujia Zhao Binghui Zhu Liping |
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| Keywords: | N-Al codoped ZnO thin films p-type conduction N_2O ambient DC reactive magnetron sputtering |
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