| 等离子体刻蚀的数学模型 |
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| 引用本文： | 黄光周,周亮笛,于继荣.等离子体刻蚀的数学模型[J].真空科学与技术学报,2000,20(6):419-422. |
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| 作者姓名： | 黄光周 周亮笛 于继荣 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电子与通信工程系!广州510640 |
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| 基金项目： | 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室，国家自然科学基金! (6 97710 15 ) |
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| 摘 要： | 介绍了等离子体刻蚀中的三种主要的数学模型 ,即 :物理模型、反应表面模型、神经网络模型。简要地叙述了它们的原理和优缺点。
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| 关 键 词： | 数学模型 等离子体刻蚀 物理模型 反应表面模型 神经网络模型 |
| 修稿时间： | 2000-05-10 |
Theoretical Models Used in Plasma Etching Studies |
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| Huang Guangzhou,Zhou Liangdi,Yu Jirong,Yang Yingjie,Hao Yao.Theoretical Models Used in Plasma Etching Studies[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2000,20(6):419-422. |
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| Authors: | Huang Guangzhou Zhou Liangdi Yu Jirong Yang Yingjie Hao Yao |
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| Abstract: | Various existing theoretical models developed to simulate plasma etching,including physical models,surface models,and neural network models were reviewed.The advantages and disadvantages of these theoretical models were briefly discussed. |
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| Keywords: | Mathematical model Plasma etching Physical model Response surface model Neural network model |
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