在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN |
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作者姓名: | 刘喆 王军喜 李晋闽 刘宏新 王启元 王俊 张南红 肖红领 王晓亮 曾一平 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083 |
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基金项目: | 中国科学院创新工程重要方向性项目,国家自然科学基金重点项目(批准号:60136020),国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683和2002CB311903),国家高技术研究发展规划(批准号:2004AA311040)资助项目~~ |
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摘 要: | 采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力. 通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si (001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长. 预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度. 为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.
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关 键 词: | GaN MBE γ-Al2O3 缓冲层 |
文章编号: | 0253-4177(2005)12-2378-07 |
收稿时间: | 2005-05-25 |
修稿时间: | 2005-08-05 |
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