泡发射极工艺在超高速ECL电路中的应用

泡发射极浅扩散工艺已成功地应用于ECL电路制造中。选用简便的Ti-A1金属化可解决EB结退化问题,并且V_(BE)能满足电路的重负载求要。适当地控制隔离和基极接触扩散的结深以及理层向上的推移,并对不同隔离方法确定出版图尺寸和外延层厚度关系后,使薄外延层工艺中的B—S通与B-BL通(基区与埋层相碰)得以解决。而“半针孔法”等措施可有效地提高电路成品率。由此,已研制出每门时延2ns、功耗25niw的MSI超高速ECL电路,并相继投入了生产。通过试验和使用,证实了电路可靠性能良好,适当缩小条宽、减浅结深后,获得了功耗速度乘积小一半的亚毫微秒双门电路,而B触发器的t_(pd)最小达到1.3ns,翻转频率超过500MHZ。