| 基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长 |
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| 引用本文： | 周静,王琦,熊德平,蔡世伟,黄辉,黄永清,任晓敏.基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长[J].半导体学报,2007,28(Z1):190-192. |
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| 作者姓名： | 周静 王琦 熊德平 蔡世伟 黄辉 黄永清 任晓敏 |
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| 作者单位： | 周静（北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876）;王琦（北京邮电大学继续教育学院,北京,100876）;熊德平（北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876）;蔡世伟（北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876）;黄辉（北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876）;黄永清（北京邮电大学继续教育学院,北京,100876）;任晓敏（北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314902) |
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| 摘 要： | 使用金属有机物气相沉积方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,最后所获得的外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)的ω/2θ扫描外延峰半高全宽(FWHM)值为238.5".
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| 关 键 词： | 异质外延 InP GaAs MOCVD 低温缓冲层 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0190-03 |
| 修稿时间： | 2006年12月12 |
Heteroepitaxy of InP/GaAs by MOCVD |
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