| 晶体外延生长模式的完备理论描述与“后S-K异质兼容生长模式”的预言 |
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| 作者姓名： | 任晓敏 王琦 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学 信息光子学与光通信国家重点实验室,北京,100876 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)项目，国家自然科学基金重大国际合作研究项目，科技部国际合作计划重点项目，中俄政府间科技合作计划项目，科技部国际科技合作项目，中俄 NSFC-RFBR 联合资助项目，高等学校博士学科点专项科研基金课题，信息光子学与光通信国家重点实验室自主研究课题，教育部和国家外专局共同设立的“通信与网络核心技术”学科创新引智基地项目，北京市科学技术委员会设立的“信息光电子学与纳异质结构”北京市国际科技合作基地项目 |
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| 摘 要： | 指出了晶体外延生长模式现有理论描述的若干问题,包括:1弗兰克-范·德·默夫模式被描述为仅存在于衬底表面能优势度为正值的情形中,这和晶格失配度足够小的2种材料能够以该模式交替生长的实验事实不符;2对于不同的衬底表面能优势度,弗兰克-范·德·默夫模式与斯特兰斯基-克拉斯塔诺夫(S-K)模式之间的转换被描述为发生在某一固定的晶格失配度上,这显然是不合理的;3由弗兰克-范·德·默夫模式似可直接转换为沃尔默-韦伯模式,反之亦然,这一描述值得质疑.针对这些问题,提出了改进的、更加完备的理论描述,其中引入了"准弗兰克-范·德·默夫模式"的概念.在此基础上,提出了"后S-K异质兼容生长模式"的概念,并探讨了基于该模式实现高质量异质兼容体材料生长的可能性.
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| 关 键 词： | 外延生长模式 弗兰克-范·德·默夫模式 斯特兰斯基-克拉斯塔诺夫模式 沃尔默-韦伯模式 准弗兰克-范·德·默夫模式 后S-K异质兼容生长模式 光子集成 光电集成 |
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