|
|||||
|
|
| Ge(Li)γ射线探测噐的研制 | |
| 引用本文： | 吴绍云,张淑娟,孙复生,邢静姝.Ge(Li)γ射线探测噐的研制[J].核电子学与探测技术,1982(5). |
| 作者姓名： | 吴绍云 张淑娟 孙复生 邢静姝 |
| 作者单位： | 中国科学院原子能研究所 (吴绍云，张淑娟，孙复生)，中国科学院原子能研究所(邢静姝) |
| 摘 要： | 高分辨率Ge(Li)γ射线探测器有两个固有的缺点:一是锂的迁移率太大,探测器必须长期保存在液氮温度,其次是锂离子漂移过程很长。为了得到在室温下稳定的Ge探测器,进行了大量的探索。在高纯Ge问世之前,1964年采用γ射线在Ge中产生受主缺陷来补偿N型Ge的方法构成辐射型Ge探测器简称Ge(γ)探测器]。这种探测器在室温下是稳定的,工艺周期短并有薄的入射窗。有些实验室还得到了能量分辨率高达(0.5—0.2)％(γ射线能量为662keV)的Ge(γ)探测器,并构成 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |