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| 宽禁带半导体材料及器件 | |
| 引用本文： | 黄芳.宽禁带半导体材料及器件[J].世界电子元器件,1999(8):24-26. |
| 作者姓名： | 黄芳 |
| 作者单位： | 电子情报所 |
| 摘 要： | 以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、 |
| 关 键 词： | 半导体材料 半导体器件 硅 砷化镓 |
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