| 利用二次阳极氧化方法降低N型碲镉汞材料表面复合速度 |
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| 引用本文： | 张立瑶,乔辉,李向阳.利用二次阳极氧化方法降低N型碲镉汞材料表面复合速度[J].红外与毫米波学报,2014,33(4):391-394. |
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| 作者姓名： | 张立瑶 乔辉 李向阳 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 上海200083;中国科学院大学,北京100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 利用微波反射光电导衰退法比较了采用一次阳极氧化和二次阳极氧化的N型碲镉汞材料的非平衡载流子寿命及其随温度的变化,通过与理论值进行比较拟合得到了碲镉汞材料表面复合速度随温度的变化曲线.结果发现,二次阳极氧化方法能够更好地降低材料表面悬挂键的密度,同时减少抛光引入的表面缺陷能级的数量,从而降低材料的表面复合速度,改善材料的非平衡载流子寿命,利于制造出高性能的HgCdTe红外探测器.
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| 关 键 词： | HgCdTe 二次氧化 少子寿命 表面复合速度 |
| 收稿时间： | 2013/3/19 |
| 修稿时间： | 2014/5/27 0:00:00 |
Reducing the surface recombination velocity of N-HgCdTe by second anodization |
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| ZHANG Li-Yao,QIAO Hui and LI Xiang-Yang.Reducing the surface recombination velocity of N-HgCdTe by second anodization[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2014,33(4):391-394. |
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| Authors: | ZHANG Li-Yao QIAO Hui and LI Xiang-Yang |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Devices, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Devices, Shanghai Institute of Technical Physics , Chinese Academy of Sciences and Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Devices, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe second anodization minority carrier lifetime surface recombination velocity |
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