在Al/a—Si:H/C—Si薄膜系统中金属原子与无定形硅互作用的分析研究

非晶态半导体材料不仅是一种优质的太阳能电池材料,而且是一种很好的半导体器件表面钝化膜材料。用半绝缘性的a-Si:H膜代替Si0_2膜做硅表面钝化膜,能很好的屏蔽外电场和钝化层表面积累的电荷所产生的电场;能有效的阻挡金属钠离子移动。所以可以用来做成MIS,MISS等器件。然而,半缘绝性非晶硅薄膜和其它介质膜一样,与金属有互作用现象。严重时,能引起器件退化。本文就此互作用现象,对Al/a-Si:H/C-Si薄膜系统进行了AES及SEM实验分析,并提出了一些防止的措施。