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| PbZr0.52Ti0.48O3薄膜红外椭圆偏振光谱研究 | |
| 作者姓名： | 胡志高 赵强黄志明 王根水孟祥建林铁 褚君浩 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费 (批准号G0 0 1CB30 95 )资助项目~~ |
| 摘 要： | 用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5～ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 . |
| 关 键 词： | PbZr0.52Ti0.48O3 椭偏光谱 光学常数 静态电荷 |
| 收稿时间： | 2002-08-11 |
| 修稿时间： | 2002-08-11 |
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