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| 硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究 | |
| 引用本文： | 贾护军,杨银堂,朱作云,李跃进.硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究[J].无机材料学报,2000,15(1):131-136. |
| 作者姓名： | 贾护军 杨银堂 朱作云 李跃进 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所, 西安 710071 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!69776023 |
| 摘 要： | 采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降． |
| 关 键 词： | 外延生长 β－SiC薄膜 淀积温度 结晶度 |
| 收稿时间： | 1999-3-26 |
| 修稿时间： | : |
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