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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究
作者姓名:
贾护军
杨银堂
朱作云
李跃进
作者单位:
西安电子科技大学微电子研究所, 西安 710071
基金项目:
国家自然科学基金!69776023
摘 要:
采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在1000~1400℃温度范围内的(100)Si衬底上进行了β-SiC薄膜的异质外延生长.实验结果表明,随着淀积温度的升高,外延层由多晶硅向β-SiC单晶转变,结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降.
关 键 词:
外延生长
β-SiC薄膜
淀积温度
结晶度
收稿时间:
1999-03-26
修稿时间:
:
本文献已被
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