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| Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)及Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)/InP(110)异质结界面的电子能带结构 | |
| 引用本文： | 徐至中.Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)及Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)/InP(110)异质结界面的电子能带结构[J].半导体学报,1986,7(6):665-667. |
| 作者姓名： | 徐至中 |
| 作者单位： | 复旦大学现代物理研究所 |
| 摘 要： | 以半经验的紧束缚方法,采用非线性修正的虚晶近似,计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)的体电子能带结构以及 Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)/InP(110)异质结的界面电子能带结构. |
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