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| 一种碳化硅纳米线的合成方法 | |
| 作者姓名： | 陈静 |
| 作者单位： | 淮阴师范学院,物理与电子学系,江苏,淮安,223001 |
| 摘 要： | 采用纳米二氧化硅(S iO2)作为硅源,以蔗糖(C12H22O11)炭化做碳源并包裹纳米二氧化硅颗粒,在高温真空炉中合成出尺寸均匀直径在15~30nm、长度在微米级的β型碳化硅(S iC)纳米线。运用X射线衍射技术、透射电子显微测量等对碳化硅纳米线进行了检测表征。对合成工艺进行优化,研究结果表明:采用这种方法合成S iC纳米线的最佳温度范围在1300~1340℃,反应时间为20~40m in。 |
| 关 键 词： | 纳米线 β碳化硅 包裹 合成 |
| 文章编号： | 1009-7961(2006)03-0050-03 |
| 修稿时间： | 2006-03-20 |
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