| 低压VDMOSFET''Ron的最佳比例设计研究 |
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| 引用本文： | 石广源,孙正地,高嵩,王中文,张颖. 低压VDMOSFET''Ron的最佳比例设计研究[J]. 微电子学与计算机, 2002, 19(12): 56-59 |
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| 作者姓名： | 石广源 孙正地 高嵩 王中文 张颖 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁大学,沈阳,110036
2. 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
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| 摘 要： | 文章以正方形单胞为例，较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系，重点讨论了N沟道VDMOSFET的P体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW／PT与Xjp-和Tox的关系，最后阐述了器件的最佳化设计思想。
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| 关 键 词： | 低压VDOSFET‘Ron 最佳比例 设计 特征导通电阻 氧化层厚度 电子迁移 |
| 修稿时间： | 2002-02-06 |
The Research on The Optimal Scaled Design of Low Voltage VDMOSFET''''Ron |
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| SHI Guang-yuan,GAO Song,WANG Zhong-wen,ZHANG Ying. The Research on The Optimal Scaled Design of Low Voltage VDMOSFET''''Ron[J]. Microelectronics & Computer, 2002, 19(12): 56-59 |
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| Authors: | SHI Guang-yuan GAO Song WANG Zhong-wen ZHANG Ying |
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| Abstract: | Th e relation between specific on-resistance andstructure parameters of VDMOSFET is analyzed systematically on the basis of a square cell.And the influence of j unction depth p-diffusion area Xjp-and thickness of gate SiO 2 Tox on specific on-resistance of N-channel VDMOSFET is centered on. The relation between the optimally scaled design(PW/PT)of the size of poly-w indow PW,the size of poly-length PT and Xjp-,Tox is presented for the first time.At last the best design idea of the d evice is stated. |
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| Keywords: | VDMOSFET Specific on-resistance Oxide thick Junc tion deep |
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