| 电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征 |
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| 引用本文： | 林贤,吴仲墀.电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征[J].功能材料,1993,24(5):425-428. |
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| 作者姓名： | 林贤 吴仲墀 |
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| 作者单位： | 上海冶金所信息功能材料国家重点实验室，复旦大学材料科学系，复旦大学材料科学系，复旦大学材料科学系，复旦大学材料科学系，复旦大学材料科学系 上海 200050，上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433 |
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| 摘 要： | 借助紫外-可见-近红外光谱,红外光谱,喇曼光谱等实验技术研究了电化学合成导电高分子聚噻吩(Polythiophene)材料在掺杂和非掺杂情况下的结构特征,说明了双极化子是这一类基态非简并的高分子的主要元激发。喇曼光谱和俄歇电子能谱还表征了掺杂离子在样品中的分布,掺杂离子处于高分子链的间隙中,且在深度分布上是均匀的。
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| 关 键 词： | 导电高分子 聚噻吩 双极化子 光谱 |
Spectroscopic Investigation of the Structures of Electrochemically Synthesized Polythiophene |
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| Lin Xian Wu Zong-ci,Wang Hui,Jin Man-na,Qian Peng-wei and Zong Xiang-fu.Spectroscopic Investigation of the Structures of Electrochemically Synthesized Polythiophene[J].Journal of Functional Materials,1993,24(5):425-428. |
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| Authors: | Lin Xian Wu Zong-ci Wang Hui Jin Man-na Qian Peng-wei and Zong Xiang-fu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | conducting polymer polythiophene polaron hipolaron |
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