| CdSe／HgSe／CdSe量子点量子阱（QDQW）的HREM研究 |
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| 引用本文： | 陈志强,朱健民,洪建明,马国斌,濮林,朱信华,周舜华,李齐. CdSe／HgSe／CdSe量子点量子阱（QDQW）的HREM研究[J]. 电子显微学报, 2000, 19(4): 401-402 |
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| 作者姓名： | 陈志强 朱健民 洪建明 马国斌 濮林 朱信华 周舜华 李齐 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京,210093 |
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| 摘 要： | 我们应用胶体化学合成方法制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)纳米晶,由于QDQW中载流子的量子限制效应,其光致发光谱(PL)出现了明显的蓝移现象,谱峰也有明显增强。本文中,我们通过对CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱核壳结构进行HREM的研究,并对包裹层这种异质外延生长及PL谱进行分析,获得了有意义的结论。胶体CdSe纳米晶是在水溶液中加以生长[1]。其化学反应式为:Cd2++2OH-+SeSO32-→CdSe+SO32-+H2O(1)通过改变Cd2+、SeSO32-的浓度及溶液中pH值,对CdSe纳米晶的尺度加以控制,并加入化学稳定剂阻止CdSe纳…
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| 关 键 词： | 硒化镉 硒化汞 半导体 量子点量子阱 HREM |
HREM study on CdSe/HgSe/CdSe QDQW |
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| CHEN Zhi-qiang,ZHU Jian-min,HONG Jian-ming,MA Guo-bin,PU Lin,ZHU Xin-hua,ZHOU Shun-hua,LI Qi. HREM study on CdSe/HgSe/CdSe QDQW[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2000, 19(4): 401-402 |
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| Authors: | CHEN Zhi-qiang ZHU Jian-min HONG Jian-ming MA Guo-bin PU Lin ZHU Xin-hua ZHOU Shun-hua LI Qi |
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