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半导体霍耳效应和电阻率的半自动测试系统
引用本文:李岐山,谢运鸿,李玉增.半导体霍耳效应和电阻率的半自动测试系统[J].稀有金属,1981(4).
作者姓名:李岐山  谢运鸿  李玉增
作者单位:冶金部有色金属研究总院402室 (李岐山,谢运鸿),冶金部有色金属研究总院402室(李玉增)
摘    要:一、引言就一般电学参数测试而言,早在1958年国外就开始研究制造自动测试系统,但由于当时条件的限制,发展缓慢。直到六十年代末期,不到十年的时间,自动控制技术和电子计算机发展到了相当的水平,相应的测试仪表实现了固体化、数字化和小型化并发展到一定水平。由于这三方面的基础条件逐

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