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| 飞速发展中的64MbDRAM技术 | |
| 作者姓名： | 洪雷萍 |
| 摘 要： | 据《国际半导体》（英）杂志1995年第8期报道，由ICE公司微电子实验室（ICE，苏格兰、亚利桑）的分析表明，早期主要的64MbDRAM是采用0．35μm工艺技术（见表1）然而ICE工程师相信这些半导体制造商在1998年每月的产量将超出500000片，并将采用0．25μm技术。例如，在最近的国际固体电路会议上发表的第二代日立一德克萨斯仪器公司64MbDR－AM，其芯片面积为143．87068mm2，存取时间为29ns。采用了0．25μm、叁阱、三层金属化布线，多晶硅化物栅，9nm栅氧化层的制作技术。在评述新出现的64MbDRAM技术时，ICE公司的技术专家们认为：… |
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