| 量子点量子阱ZnS/HgS/ZnS/CdS的制备与光学特性 |
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| 引用本文： | 羊亿,申德振,张吉英,杨宝均,范希武. 量子点量子阱ZnS/HgS/ZnS/CdS的制备与光学特性[J]. 功能材料, 2000, 31(1): 50-52 |
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| 作者姓名： | 羊亿 申德振 张吉英 杨宝均 范希武 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理所激发态物理开放实验室,吉林长春,130021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院基础研究重点基金 (青年 )资助项目 |
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| 摘 要： | 运用湿化学与表面化学方法制备了ＺｎＳ／ＨｇＳ／ＺｎＳ／Ｃｄｓ量子点量子阱（ＱＤＱＷ）结构，以吸收光谱、光致发光及激光谱表征该结构，并研究了外层ＣｄＳ对材料发光特性的影响，首次观测到ＣｄＳ对中间ＨｇＳ阱层发光的增强作用，并归因子隧道效应的存在。
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| 关 键 词： | 量子点 量子阱 隧道效应 半导体 光学特性 制备 |
| 文章编号： | 1001-9731（2000)01-0050-03 |
| 修稿时间： | 1998-10-03 |
Preparation and Optical Properties of ZnS/HgS/ZnS/CdS Quantum Dot Quantum Well System |
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| YANG Yi,SHEN Dezhen,ZHANG Jiying,YANG Baojun,FAN Xiwu. Preparation and Optical Properties of ZnS/HgS/ZnS/CdS Quantum Dot Quantum Well System[J]. Journal of Functional Materials, 2000, 31(1): 50-52 |
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| Authors: | YANG Yi SHEN Dezhen ZHANG Jiying YANG Baojun FAN Xiwu |
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| Abstract: | ZnS/HgS/ZnS/CdS Quantum Dot Quantum Well System was prepared by wet chemical and surface chemical methods for the frist time.The structure was characterized by absorption spectra,PL and PLE spectra.The coated CdS can enhance the PL intensity of HgS.It is caused by tunneling effect. |
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| Keywords: | quantum dot quantum well tunneling effect |
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