| 高效率半导体激光器波导层掺杂的优化设计 |
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| 引用本文： | 熊聪,崇锋,王俊,王冠,韩淋,刘素平,马骁宇. 高效率半导体激光器波导层掺杂的优化设计[J]. 半导体光电, 2010, 31(1): 16-19,54 |
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| 作者姓名： | 熊聪 崇锋 王俊 王冠 韩淋 刘素平 马骁宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(ISCAS2008T12) |
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| 摘 要： | 为获得高效率半导体激光器,理论分析并计算了p型波导层四种不同掺杂浓度分布对器件内损耗、串联电阻、阈值电流以及电光转换效率的影响,由此优化了p型波导层的掺杂浓度分布和厚度。根据计算及优化结果,p型波导层采取线性s杂分布,厚度为0.45μm,制备了腔长1200μm的980nm半导体激光器,其阈值电流为324mA,内损耗为1.62cm-1,串联电阻为136mΩ。当输入电流为1.98A时,激光器的斜率效率和输出光功率分别为1.05W/A和1.74W,对应的电光转换效率从未优化时的54.6%提高到58.4%。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 电光转换效率 非对称宽波导 掺杂分布 |
Doping Profile Optimization and Design of Waveguide Layer for Laser Diode with High Conversion Efficiency |
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| XIONG Cong,CHONG Feng,WANG Jun,WANG Guan,HAN Lin,LIU Suping,MA Xiaoyu. Doping Profile Optimization and Design of Waveguide Layer for Laser Diode with High Conversion Efficiency[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2010, 31(1): 16-19,54 |
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| Authors: | XIONG Cong CHONG Feng WANG Jun WANG Guan HAN Lin LIU Suping MA Xiaoyu |
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| Affiliation: | National Engineering Research Center for Optoelectronic Device;Institute of Semiconductors;Chinese Academy of Sciences;Beijing 100083;CHN |
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| Abstract: | To improve the power conversion efficiency(PCE)of laser diode,theoretically analyzed and calculated are the influences of four different doping profiles in p-waveguide layer on the internal loss,series resistance,threshold current and PCE of a laser diode with asymmetric waveguide.The doping profile and thickness of p-waveguide layer were optimized.According to the calculation and optimization results,the linear doping profile was adopted in p-waveguide layer and the optimal thickness of p-waveguide layer w... |
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| Keywords: | laser diode electro-optical conversion efficiency asymmetric waveguide doping profile |
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