用于微波场效应晶体管的高质量砷化镓外延层的生长和表征

讨论了通过汽相外延氯化物工艺制备适用于X波段FET的GaAs外延层。其结构包括高阻缓冲层和n~ 接触层。严格控制三氯化砷的克分子分数以及使用固体源已制得特性最好的缓冲层。8千兆赫下,微波器件的典型噪声系数≤2.5分贝,最好的是1.4分贝。同时,最大增益为11.1分贝。叙述了在选择好的衬底、源和外延材料方面目前所考虑的各种常规表征方法。并包括对一个简单的两端器件所作的光电导测量,它给出了因陷阱态产生光敏性的那些缓冲层的品质因素。比较了不同材料结构中观察到的各种类型的光敏性。