| 高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究 |
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| 引用本文： | 曾颖秋,卢铁城,沈丽如,李恒,杨经国,邹萍,林理彬. 高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究[J]. 半导体学报, 2004, 25(4): 419-423 |
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| 作者姓名： | 曾颖秋 卢铁城 沈丽如 李恒 杨经国 邹萍 林理彬 |
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| 作者单位： | 四川大学物理系和教育部辐射物理及技术重点实验室 成都610064(曾颖秋，卢铁城，李恒，杨经国)，核工业西南物理研究院 成都610041(沈丽如)，四川大学分析测试中心 成都610064(邹萍)，四川大学物理系和教育部辐射物理及技术重点实验室 成都610064(林理彬) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合资助项目 |
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| 摘 要： | 报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的
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| 关 键 词： | Ge纳米晶 离子注入 非晶态-晶态相变 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)04-0419-05 |
| 修稿时间： | 2003-03-28 |
Study on Nanocrystalline Ge Formed Directly by High Dose Ge Ion Implantation |
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| Zeng Yingqiu ,Lu Tiecheng ,Shen Liru ,Li Heng ,Yang Jingguo ,Zou Ping and Lin Libin .. Study on Nanocrystalline Ge Formed Directly by High Dose Ge Ion Implantation[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(4): 419-423 |
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| Authors: | Zeng Yingqiu Lu Tiecheng Shen Liru Li Heng Yang Jingguo Zou Ping Lin Libin . |
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| Affiliation: | Zeng Yingqiu 1,Lu Tiecheng 1,Shen Liru 2,Li Heng 1,Yang Jingguo 1,Zou Ping 3 and Lin Libin 1. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanocrystalline Ge ion implantation amorphism-crystal transition |
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