| MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED |
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| 引用本文： | 陆大成,刘祥林,韩培德,王晓晖,汪度,袁海荣.MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED[J].液晶与显示,2001,16(1):1-5. |
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| 作者姓名： | 陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 袁海荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院 半导体研究所 |
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| 基金项目： | “863”计划资助项目(863-715-234-04) |
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| 摘 要： | 报道用自行研制的LP－MOVPE设备，在蓝宝石（α－Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGsN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430－450nm和520－540nm。
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| 关 键 词： | GaN InGaN AlGaN 双异质结 量子阱 蓝光LED 绿光LED MOVPE 氮化镓 发光二极管 |
| 文章编号： | 1007-2780（2001）01-0001-05 |
| 修稿时间： | 2000年12月8日 |
InGaN/AlGaN Blue and Green
LED Grown by MOVPE |
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| LU Da-cheng,LIU Xiang-lin,HAN Pei-de,WANG Xiao-hui,WANG Du,YUAN Hai-rong.InGaN/AlGaN Blue and Green
LED Grown by MOVPE[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2001,16(1):1-5. |
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| Authors: | LU Da-cheng LIU Xiang-lin HAN Pei-de WANG Xiao-hui WANG Du YUAN Hai-rong |
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| Abstract: | Zn and Si co-doped InGaN/AlGaN double-heterostructure andInGaN/GaN single quantum well structure were grown on Al2O3 substrate by LP-MOVPE. Blue LEDs with wavelength of 430～450nm and green LEDs with wavelength of 520～540nm were fabricated. |
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| Keywords: | GaN InGaN AlGaN double-heterostructure quantum well blue LED green LED MOVPE |
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