| 一种制备Au/n-Al0.3Ga0.7N横向肖特基二极管的方法 |
| |
| 引用本文： | 成彩晶,鲁正雄,司俊杰,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,陈志忠,张国义.一种制备Au/n-Al0.3Ga0.7N横向肖特基二极管的方法[J].半导体光电,2006,27(6):694-697. |
| |
| 作者姓名： | 成彩晶 鲁正雄 司俊杰 赵鸿燕 赵岚 丁嘉欣 孙维国 陈志忠 张国义 |
| |
| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;北京大学,物理系,北京,100871 |
| |
| 摘 要： | 用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管.器件在零偏电压处的背景光电流为87.3 pA.从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ.器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W.
|
| 关 键 词： | MSM 横向肖特基二极管 理想因子 势垒高度 响应率 光谱响应 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)06-0694-04 |
| 收稿时间： | 2006-03-28 |
| 修稿时间： | 2006年3月28日 |
A Method for Fabricating Au/n-Al0.3Ga0.7N Lateral Schottky Diodes |
| |
| CHENG Cai-jing,LU Zheng-xiong,SI Jun-jie,ZHAO Hong-yan,ZHAO Lan,DING Jia-xin,SUN Wei-guo,CHEN Zhi-zhong,ZHANG Guo-yi.A Method for Fabricating Au/n-Al0.3Ga0.7N Lateral Schottky Diodes[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(6):694-697. |
| |
| Authors: | CHENG Cai-jing LU Zheng-xiong SI Jun-jie ZHAO Hong-yan ZHAO Lan DING Jia-xin SUN Wei-guo CHEN Zhi-zhong ZHANG Guo-yi |
| |
| Affiliation: | 1. China Airborne Missile Academy, Luoyang 471009, CHN; 2. Dept. of Physics, Beijing University, Beijing 100871, CHN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MSM lateral Schottky diodes ideality factor barrier height responsivity photoresponse |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
