| 激光剥离技术中GaN材料温度场的研究 |
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| 引用本文： | 王婷,郭霞,郭伟玲,牛南辉,沈光地.激光剥离技术中GaN材料温度场的研究[J].四川激光,2005,26(5):80-81. |
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| 作者姓名： | 王婷 郭霞 郭伟玲 牛南辉 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电控学院,北京市光电子实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院,北京市光电子实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院,北京市光电子实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院,北京市光电子实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院,北京市光电子实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家863计划(2004AA311030)，国家973计划(20000683-02)，北京市教委(KZ200510005003,2002kj018)，北京市科委重点项目(D404003040221)资助 |
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| 摘 要： | 对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型。计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布。得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈值条件下剥离过程中高温区分布限制在100nm以内。从而证明GaN基发光二极管(LED)外延结构无损伤激光剥离的可行性,并且为激光剥离技术参数的选取提供了理论依据。
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| 关 键 词： | 温度场 剥离 一维模型 脉冲激光 GaN |
| 文章编号： | 0253-2743(2005)05-0080-02 |
| 收稿时间： | 2004-08-09 |
| 修稿时间： | 2004年8月9日 |
Study on temperature field of GaN material in laser lift-off technique |
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| WANG Ting, GUO Xia, GUO Wei - ling, NIU Nan - hui, SHEN Guang- di.Study on temperature field of GaN material in laser lift-off technique[J].Laser Journal,2005,26(5):80-81. |
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| Authors: | WANG Ting GUO Xia GUO Wei - ling NIU Nan - hui SHEN Guang- di |
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| Abstract: | One-dimensional(I-D) thermal conduction model in GaN layer for pulse laser lift-off technique was established.Irradiated by mono-pulse laser,the temperature field of the GaN layer was calculated and analyzed.The results show the threshold energy intensity for successful lift-off is predicted to be about 400mJ/cm~2,the pulse laser frequency is set to less than 1400Hz,and in the condition of threshold influence,the high temperature field is confined to 100nm,which'provide theoretical basis for selecting all parameters in laser lift-off,and the realization of damage-free GaN-based LED Laser lift-off. |
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| Keywords: | temperature field lift-off 1-D model pulse laser GaN |
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