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Sigmund元素溅射率公式的修正
引用本文:陈国樑.Sigmund元素溅射率公式的修正[J].半导体学报,1985,6(6):627-633.
作者姓名:陈国樑
作者单位:中国科学院上海冶金所
摘    要:本文给出氦、氩离子法向轰击多晶元素靶时,原子溅射率Y_o随离子能量E变化的经验公式.采用下面二个步骤,可以导出这个公式.首先,把Sigmund 溅射率公式(1)中的表面升华能U_s改为离靶组合的溅射阈能E_(th). 其次,再把上式乘以Matsunami提出的低能修正因子g(E).另外,我们还导出了适用于轻、重离子的溅射阈能经验公式E_(th)=U_s·exp(r)/r.其中:r=4M/(1+M)~2,M=M_2/M_1是靶原子的相对原子量.计算结果表明:对于低能离子(E≤1keV)而言,由经验公式算出的溅射率Y_o与实验值Y之间的相对误差不超过20%.但是,低能下的Sigmund理论溅射率Y_s约为实验值的二至二十五倍.由此可知:经验溅射率公式(30)基本上是成功的.

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