| K2MgSiO4:Eu3+红色荧光粉的制备与发光性能 |
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| 引用本文： | 杨志平,王天洋,冉争瑞.K2MgSiO4:Eu3+红色荧光粉的制备与发光性能[J].光电子．激光,2016,27(7):730-734. |
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| 作者姓名： | 杨志平 王天洋 冉争瑞 |
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| 作者单位： | 河北大学 物理科学与技术学院,河北 保定 071002;河北大学 物理科学与技术学院,河北 保定 071002;河北大学 电子信息工程学院 ,河北 保定 071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50902042)和河北省自然科学基金(F2009000217)资助项目 (1.河北大学 物理科学与技术学院,河北 保定 071002； 2.河北大学 电子信息工程学院 ,河北 保定 071002) |
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| 摘 要： | 采用高温固相反应合成了适合近紫外光-蓝光激 发的K2MgSiO4:Eu3+红色荧光粉,并对其发光特性进行了研究。X射线衍 射(XRD)测试结果表明,合成样品为纯相晶体。样品激发光谱由O2-→Eu3+电 荷迁 移带波长为(200～350nm)和Eu3+的特征激发峰(波长为350～500nm) 组成,主峰位于396nm波长处,次级峰位于466nm波长处。在396nm和466nm波长分别激发 下,样品发射峰均由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,其中619nm波长处发射强度最大。 随着Eu3+掺杂浓度的增加,荧光粉的发光强度增大。在实验测定的浓度范 围内,未出现浓度猝灭现象。样品的色坐标位于红光区,且非常接近NTSC标准。样品发光强 度随温度增加出现温度猝灭现象,发 射峰位置并未出现明显红移。样品中,Eu3+在5D0能 级上的荧光寿命约为0.535ms。
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| 关 键 词： | K2MgSiO4:Eu3+ 红色荧光粉 发光 温度猝灭 |
| 收稿时间： | 2015/12/24 0:00:00 |
Synthesis and luminescence properties of K2MgSiO4:Eu3+ red phosphor |
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| YANG Zhi-ping,WANG Tian-yang and RAN Zheng-rui.Synthesis and luminescence properties of K2MgSiO4:Eu3+ red phosphor[J].Journal of Optoelectronics·laser,2016,27(7):730-734. |
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| Authors: | YANG Zhi-ping WANG Tian-yang and RAN Zheng-rui |
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| Affiliation: | College of Physics Science and Technology,Hebei University,Baoding 071002,China;College of Physics Science and Technology,Hebei University,Baoding 071002,China;College of Electronic and Information Engineering,Hebei University,Baoding 071002,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | K2MgSiO4:Eu3+ red phosphor luminescence temperature quenching |
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