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厚膜电容微位移传感器的非线性误差分析
引用本文:张早春,马以武,高理升.厚膜电容微位移传感器的非线性误差分析[J].仪表技术与传感器,2009(6).
作者姓名:张早春  马以武  高理升
作者单位:1. 中国科学院合肥智能机械研究所,安徽合肥,230031中国科学技术大学,安徽合肥,230027
2. 中国科学院合肥智能机械研究所,安徽合肥,230031
基金项目:国家自然科学基金重点项目 
摘    要:分析了用于PZT形变-力传感-位移量传递模式实时检测的厚膜电容位移传感器的非线性问题,对传感器弹性膜片产生挠性形变以及位移检测带来的非线性问题做了系统的分析并给出了在小挠度形变情况下电容计算公式.仿真结果表明:在电容极板间隙为50μm、膜片厚度为0.55 mm、工作半径为10 mm、膜片中心偏移量为5 μm的情况下,与普通极板电容计算公式相比,采用小挠度形变电容计算公式可使位移检测精度提高4.74%.

关 键 词:电容  位移检测  挠性形变

Nonlinear Error Analysis of Thick Film Capacitor Micro Displacement Sensor
ZHANG Zao-chun,MA Yi-wu,GAO Li-sheng.Nonlinear Error Analysis of Thick Film Capacitor Micro Displacement Sensor[J].Instrument Technique and Sensor,2009(6).
Authors:ZHANG Zao-chun  MA Yi-wu  GAO Li-sheng
Abstract:
Keywords:
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