| 杂质离子对Y2O3:Eu3+发光性能的影响 |
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| 引用本文： | 王静,苏锵,王淑彬.杂质离子对Y2O3:Eu3+发光性能的影响[J].功能材料,2002,33(5):558-560. |
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| 作者姓名： | 王静 苏锵 王淑彬 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室,吉林,长春,130022
2. 中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室,吉林,长春,130022;中山大学,化学与化工学院超快速激光国家重点实验室,广东,广州,510275 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究规划资助项目(G1998061312);国家自然科学基金资助项目(29771029) |
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| 摘 要： | 研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu^3 0.05,A^ 0.02(A=Li,Na,K)和Y2O3:Eu^3 0.05,B^2 0.02(B=Mg,Ca,Sr,Ba)的荧光，余辉发光及热释光特性，余辉光谱数据表明：杂质离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu^3 的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y23:Eu^3 的荧光发射主峰（611nm)一致，为经典Eu^3 的^5D0-^7F2电偶极跃迁，杂质离子的引入明显地延缓了Y2O3:Eu^3 的余辉衰减，其中Y2O3：Eu^3 ,A^ (A=Li,Na,K)的余辉衰减趋势几乎完全一致，而Y2O3：Eu^3 ,B^2 ,B2^ (B Mg,Ca,Sr,Ba）的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca,Sr,Ba,Mg。热释光谱数据显示，杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成，这是导致余辉衰减减慢的直接原因。Y2O3：Eu^3 ,A^ 的热释峰都位于175℃左右，相应电子陷阱能级深度为0.966eV左右，而Y2O3：Eu^3 的热释峰由高到低分别位于192℃（Ca),164℃（Sr),135℃（Ba),118℃(Mg)，电子陷阱能级深度分别为1.003eV(Ca),0.942eV（Sr),0.880eV(Ba),0.843eV(Mg)。结合余辉衰减数据，可以看到，Y2O3:Eu^3 ，A^ 和Y2O3：Eu^3 ,B^2 的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好，由此可以得出，一定相同的条件下，热释峰值温度越高，杂质陷阱能级越深，相应荧光体的余辉衰减越慢。
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| 关 键 词： | 发光性能 碱金属 碱土金属 余辉 热释发光 掺杂 荧光材料 |
| 文章编号： | 1001-9731(2002)05-0558-03 |
| 修稿时间： | 2001年10月22 |
Effects of impurity ions on the luminescent property of Y2O3: Eu3+ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Y2O3:Eu3+ |
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