| BF+2注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究 |
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| 引用本文： | 林成鲁,倪如山,邹世昌.BF+2注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究[J].电子与信息学报,1989,11(4):434-438. |
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| 作者姓名： | 林成鲁 倪如山 邹世昌 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金所离子束开放研究实验室 上海
(林成鲁，倪如山)，中国科学院上海冶金所离子束开放研究实验室 上海(邹世昌) |
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| 摘 要： | 本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入剂量为1×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2)的样品中,经快速热退火后可以观察到氟泡。
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| 关 键 词： | 离子注入 快速热退火 氟泡 |
| 收稿时间： | 1987-5-18 |
| 修稿时间： | 1987-8-31 |
FLUORINE BEHAVIOUR IN BF+2 IMPLANTED POLYSILICON FILMS SUBJECTED TO RAPID THERMAL ANNEALING |
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| Lin Chenglu Ni Rushan Zou Shichang.FLUORINE BEHAVIOUR IN BF+2 IMPLANTED POLYSILICON FILMS SUBJECTED TO RAPID THERMAL ANNEALING[J].Journal of Electronics & Information Technology,1989,11(4):434-438. |
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| Authors: | Lin Chenglu Ni Rushan Zou Shichang |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Metallurgy, Academia Sinico, Shanghai |
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| Abstract: | The physical and electrical properties of BF+2 implanted polysilicon film subjected to rapid thermal annealing (RTA) are presented. It is found that the out diffusion of F and its segregation at polysilicon/silicon oxide interface during RTA are the major causes of F anomalous migration. Fluorine bubbles were observed in BF+2 implanted samples at doses of 1×1015 and 5×1015cm-2 after RTA. |
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| Keywords: | Ion implantation Rapid thermal annealing Fluorine bubble |
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