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| 方兴未艾的OLED | |
| 引用本文： | 苏初榜.方兴未艾的OLED[J].今日电子,2006(2):36-38. |
| 作者姓名： | 苏初榜 |
| 作者单位： | 信利半导体有限公司 |
| 摘 要： | OLED的相关技术
OLED器件的结构通常如图1所示，在每个像素的阴阳电极之间包括有五层薄膜：HIL、HTL、EML、ETL和EIL，这五层薄膜的总厚度只有100～200nm左右。整个镀膜制程是在高真空环境下完成的；像素与像素之间用绝缘材料隔开，以防止加电时的相互串扰；由于有机材料和金属阴极对水气和氧气特别敏感，因此在封装制程中使用了水蒸气和氧气渗透率极低的密封胶和封盖，并在器件内部加了干燥剂用于吸收内部极少量的水蒸气和氧气成分，同时为了保证能充分将其隔离，封装制程必须在纯度高达99．999％的氮气环境下完成。 |
| 关 键 词： | OLED LED器件 相关技术 真空环境 绝缘材料 金属阴极 有机材料 水蒸气 HIL 像素 |
Report on OLED technology and industry |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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