方兴未艾的OLED |
| |
引用本文: | 苏初榜.方兴未艾的OLED[J].今日电子,2006(2):36-38. |
| |
作者姓名: | 苏初榜 |
| |
作者单位: | 信利半导体有限公司 |
| |
摘 要: | OLED的相关技术
OLED器件的结构通常如图1所示,在每个像素的阴阳电极之间包括有五层薄膜:HIL、HTL、EML、ETL和EIL,这五层薄膜的总厚度只有100~200nm左右。整个镀膜制程是在高真空环境下完成的;像素与像素之间用绝缘材料隔开,以防止加电时的相互串扰;由于有机材料和金属阴极对水气和氧气特别敏感,因此在封装制程中使用了水蒸气和氧气渗透率极低的密封胶和封盖,并在器件内部加了干燥剂用于吸收内部极少量的水蒸气和氧气成分,同时为了保证能充分将其隔离,封装制程必须在纯度高达99.999%的氮气环境下完成。
|
关 键 词: | OLED LED器件 相关技术 真空环境 绝缘材料 金属阴极 有机材料 水蒸气 HIL 像素 |
Report on OLED technology and industry |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |