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| 直流反应磁控溅射法制备锐钛矿TiO2薄膜 | |
| 引用本文： | 张丽伟,郭云德,任时朝,宋金生,张利伟,卢景霄.直流反应磁控溅射法制备锐钛矿TiO2薄膜[J].半导体光电,2006,27(2):174-176,195. |
| 作者姓名： | 张丽伟 郭云德 任时朝 宋金生 张利伟 卢景霄 |
| 作者单位： | 1. 郑州大学,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,河南,新乡,453000 2. 安阳市质量技术监督检验测试中心,河南,安阳,455000 3. 郑州大学,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052 |
| 摘 要： | 采用直流反应磁控溅射的方法，溅射高纯钛靶在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD测试了TiO2薄膜的结构，研究了工艺因素中衬底温度、溅射气压、氧氩气体流量比和退火温度对薄膜结构的影响。实验结果表明：衬底温度高于200℃、溅射气压不高于0．7Pa、氧氩流量比为1／4、退火温度为650℃时，锐钛矿TiO2薄膜更容易结晶。 |
| 关 键 词： | TiO2薄膜 直流反应磁控溅射 锐钛矿 |
| 文章编号： | 1001-5868（2006）02-0174-03 |
| 收稿时间： | 2005-07-29 |
| 修稿时间： | 2005-07-29 |
Anatase Titanium Dioxide Film Deposited by DC Reactive Magnetron Sputtering |
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| ZHANG Li-wei,GUO Yun-de,REN Shi-chao,SONG Jin-sheng,ZHANG Li-wei,LU Jing-xiao.Anatase Titanium Dioxide Film Deposited by DC Reactive Magnetron Sputtering[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(2):174-176,195. | |
| Authors: | ZHANG Li-wei GUO Yun-de REN Shi-chao SONG Jin-sheng ZHANG Li-wei LU Jing-xiao |
| Abstract: | |
| Keywords: | TiO2 thin film DC reactive magnetron sputtering anatase |
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