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基于阻尼系数控制频率补偿的无电容型LDO设计
引用本文:邹志革,杨诗洋,邹雪城,雷鑑铭,陈晓飞,余国义.基于阻尼系数控制频率补偿的无电容型LDO设计[J].微电子学与计算机,2009,26(7).
作者姓名:邹志革  杨诗洋  邹雪城  雷鑑铭  陈晓飞  余国义
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北武汉430007
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) 
摘    要:基于级间密勒补偿技术,产生一个低频主极点,并通过阻尼系数控制(DFC)单元调节两个次主极点略高于单位增益频率(UGF),使得无电容型LDO开环传递函数中在UGF内只有一个极点,从而保证环路稳定性,同时又优化了系统的动态响应.基于该结构,采用HHNEC 0.25μm CMOS工艺,设计了一个1.8V 100mA的适合SoC应用的无电容型LDO.其电压降为50mV,在50μA到100mA的负载电流范围内,开环传递函数相位裕度高于55度,瞬态电压过冲值低于140mV,负载电流在最大值与最小值之间阶跃变化时,最大恢复时间为3μs,系统静态电流为40μA.

关 键 词:线性低压差稳压器  无电容型  阻尼系数控制  频率补偿  稳定性

A Capacitor-less Low-dropout Regulator Based on Damping Factor Control Frequency Compensation
ZOU Zhi-ge,YANG Shi-yang,ZOU Xue-cheng,LEI Jian-ming,CHEN Xiao-fei,YU Guo-yi.A Capacitor-less Low-dropout Regulator Based on Damping Factor Control Frequency Compensation[J].Microelectronics & Computer,2009,26(7).
Authors:ZOU Zhi-ge  YANG Shi-yang  ZOU Xue-cheng  LEI Jian-ming  CHEN Xiao-fei  YU Guo-yi
Abstract:
Keywords:
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