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杂志ISSN号
用工艺法校正邻近效应:理论与应用
作者姓名:
P.里西曼
M.P.C.瓷茨
杨树芬
作者单位:
美,美
摘 要:
电子束曝光时,由于抗蚀剂层和衬底中电子散射的作用,使抗蚀剂产生不希望的曝光,这种现象就是邻近效应。它导致图形特征尺寸与设计值的差异。这是采用电子束曝光方法制作高分辨率集成电路器件的主要限制。我们采用计算机模拟法研究了邻近效应,并且探索了能改进图形保真度的工艺处理方法。有两种方法能使邻近效应大大减小,即小束径法和多层抗蚀剂技术。这两种方法已经在HP电子束曝光系统上实际试验过。
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