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Au-aSi肖特基势垒太阳电池
作者姓名:李长键  孙钟林  李德林  徐溫元
作者单位:南开大学物理系,南开大学物理系,南开大学物理系,南开大学物理系
摘    要:在对a-Si:H进行研究的基础上制成了光电转换效率为1.5%的肖特基势垒太阳电池.a-Si:H是用硅烷辉光放电方法生长的.在10~(-3)的真空室通入用Ar稀释到10%的硅烷.频率为13.56MC,功率为20-200W的功率源通过外电容加到反应室,使之产生等离子体.衬底温度为180℃到250℃之间.控制生长速率为50A-100A/分.硅烷的气相分压为4×10~(-1)到5×10~(-2)之

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