硅衬底上制作GaAs两层器件

<正> 据报道日本冲电气在 Si 衬底上直接形成可制作器件的 GaAs,继而完成 GaAs 三维电路元件。Si 衬底上的 GaAs 晶体由 MOCVD 法生成,用直接离子注入法,最终制成17级 E/D 结构的环形振荡器。栅长1μm,栅宽10μm 的典型器件的跨导为240mS/mm,环形振荡器的 t_(pd)是51ps/门,t_(ps)·p 是10.4,fJ/门(t_(pd)为63ps/门),这些数值几乎与平常的 GaAs 器件一样。